美国IXYS艾赛斯分立式封装IGBT提供功率半导体市场上种类最齐全的IGBT器件供您选择。其优势包括低能量损耗和极高的耐用性，同时保持较低的通态电压。
艾赛斯IXYS反向传导IGBT（BiMOSFET）
BiMOSFET.这类器件将MOSFET与IGBT的优势相结合，拥有Vce(sat)和Vf的正温度系数，并具有低导通损耗，因此是 高频、高功率密度应用的理想解决方案。
艾赛斯IXYS非穿通型（NPT）IGBT
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10us的短路耐受能力。这些产品拥有Vce(sat)的正温度系数，是并联的理想选择。 它们是电机驱动应用中的。
艾赛斯IXYS穿通型（PT）IGBT
穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速开关速度和低导通损耗等优点。这些产品针对 UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。
艾赛斯SMPD封装
SMPD封装IGBT。表面安装式功率器件（SMPD）封装是一种创新的解决方案，可以为多种电力电子应用提供大量优化设计的机会。
艾赛斯IXYS超轻穿通型（XPT?）IGBT
Xtreme light Punch Through（XPT?）是业界的IGBT技术，可通过多种电压范围的产品组合支持低、中和高开关频率。
艾赛斯IXYS高功率IGBT
压力接触IGBT。我们提供市面上范围最广泛的压力接触IGBT。 我们高度可靠的产品的额定电压为1.7kV至6.5kV，额定电流为115A至3kA。